| 阳极氧化电压对TiO2纳米管阵列生长及场发射性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 洪春燕,叶芸,郭凡,颜敏,蒋亚东,郭太良.阳极氧化电压对TiO2纳米管阵列生长及场发射性能的影响[J].真空科学与技术学报,2013,33(2). |
| |
| 作者姓名： | 洪春燕 叶芸 郭凡 颜敏 蒋亚东 郭太良 |
| |
| 作者单位： | 1. 福州大学物理与信息工程学院 福州350002
2. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，教育部博士点博导基金项目，电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题 |
| |
| 摘 要： | 室温下在HF水溶液中,利用阳极氧化法在纯钛表面制备了规则有序的TiO2纳米管阵列,应用场致发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱对纳米管阵列表面形貌、断面结构及元素组成进行表征,并对所得样片的场发射性能进行测试,研究了阳极氧化电压对TiO2纳米管阵列形貌及场发射性能的影响.结果表明:在一定范围内增大氧化电压,可增大纳米管的管径、壁厚和管长,但壁厚变化比较小.随着氧化电压的增大,开启场强先降低后增大.当氧化电压为10 V时,所获得的TiO2纳米管阵列开启场强最低,为3.15 V/μm,在6h内8 V/μm电场下保持了稳定的场发射,电流密度为0.85 mA/cm2.
|
| 关 键 词： | 阳极氧化 TiO2纳米管阵列 场发射 开启场强 |
Fabrication and Field Emission Characteristics of TiO2 Nano-Tube Arrays |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
