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| 第十八讲真空蒸发镀膜 | |
| 引用本文： | 张以忱.第十八讲真空蒸发镀膜[J].真空,2013,50(2). |
| 作者姓名： | 张以忱 |
| 作者单位： | 东北大学,辽宁沈阳,110004 |
| 摘 要： | (接2013年第1期第96页)
残余气体分子撞击着真空室内的所有表面,包括正在生长着的膜层表面.在室温和10-4 Pa压力下的空气环境中,形成单一分子层吸附所需的时间只有2.2s.可见,在蒸发镀膜过程中,如果要获得高纯度的膜层,必须使膜材原子或分子到达基片上的速率大于残余气体到达基片上的速率,只有这样才能制备出纯度好的膜层.这一点对于活性金属材料基片更为重要,因为这些金属材料的清洁表面的粘着系数均接近于1. |
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