| SrHfON高κ栅介质薄膜的漏电特性研究 |
| |
| 引用本文： | 王雪梅,刘正堂,冯丽萍.SrHfON高κ栅介质薄膜的漏电特性研究[J].真空科学与技术学报,2013,33(8). |
| |
| 作者姓名： | 王雪梅 刘正堂 冯丽萍 |
| |
| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 西安710072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，凝固技术国家重点实验室研究基金项目，111计划，西北工业大学基础研究基金项目 |
| |
| 摘 要： | 采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应漏电流(SILC)效应.结果表明,MOS电容的漏电流密度随N2流量的增加而减小.在正栅压下,漏电流主要由Schottky发射机制引起；在负栅压下,漏电流机制在低、中、高栅电场区时分别为Schottky发射、F-P发射和F-N隧穿机制.同时,Au/SrHfON/Si MOS电容表现出明显的SILC效应,经恒压应力后薄膜在正栅压下的漏电流由Schouky发射和F-P发射机制共同作用,且后者占主导地位.
|
| 关 键 词： | 高κ栅介质 SrHfON 漏电流机制 应力感应漏电流 |
Growth and Current Leakage Characteristics of SrHfON High-k Gate Dielectric Films |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | High-κ gate dielectric SrHfON Leakage current conduction mechanism SILC |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
