反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗 |
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作者姓名: | 赵登涛 朱炎 |
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作者单位: | 苏州大学物理系薄膜材料实验室 |
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摘 要: | 在氧气和氩气的混合气氛中,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜,其直流介电强度为3-4MV/cm。当固定氩气流量,改变氧分压时,薄膜沉积速率先减小,再增大,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下,薄膜的介电损耗可以达到0.4%,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从100Hz到5MHz,所有的样品均未显示出可见的极化驰豫引起的损耗峰。
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关 键 词: | 反应射频磁控溅射 介电损耗 氧化铝薄膜 |
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