反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗

在氧气和氩气的混合气氛中，利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜，其直流介电强度为３－４ＭＶ／ｃｍ。当固定氩气流量，改变氧分压时，薄膜沉积速率先减小，再增大，然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下，薄膜的介电损耗可以达到０．４％，小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从１００Ｈｚ到５ＭＨｚ，所有的样品均未显示出可见的极化驰豫引起的损耗峰。