| 一种压阻式高g值加速度传感器 |
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| 引用本文： | 陈德英,茅盘松,张旭,王强.一种压阻式高g值加速度传感器[J].固体电子学研究与进展,2004,24(3):318-321,349. |
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| 作者姓名： | 陈德英 茅盘松 张旭 王强 |
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| 作者单位： | 东南大学MEMS重点实验室,南京,210096;东南大学MEMS重点实验室,南京,210096;东南大学MEMS重点实验室,南京,210096;东南大学MEMS重点实验室,南京,210096 |
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| 摘 要： | 讨论了硅的压阻效应 ,利用简化的力学模型设计了高 g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图 ,并制备出样品 ,测试结果表明本传感器加速度可大于 80 0 0 g。
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| 关 键 词： | 压阻效应 高g值 加速度传感器 SOI衬底 硅胶灌注 |
| 文章编号： | 1000-3819(2004)03-318-04 |
A Piezoresistive Accelerometers with High-g Value |
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| CHEN Deying,MAO Pansong,ZHANG Xu,WANG Qiang.A Piezoresistive Accelerometers with High-g Value[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2004,24(3):318-321,349. |
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| Authors: | CHEN Deying MAO Pansong ZHANG Xu WANG Qiang |
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| Abstract: | This paper discusses piezoresistive effect of silicon, with simplified mechanical models. The structural parameters of the piezoresistive accelerometer for high-g value are designed. The process flow and layout are given, and the acceleration of prepared sample is above 8 000g. |
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| Keywords: | piezoresistive effect high-g value accelerometer SOI substrate pouring silica gel into tube |
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