| 大功率垂直腔底发射半导体激光器的光束质量 |
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| 引用本文： | 崔锦江,宁永强,姜琛昱,王帆,高静,张星,王贞福,武晓东,檀慧明.大功率垂直腔底发射半导体激光器的光束质量[J].中国激光,2011(1). |
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| 作者姓名： | 崔锦江 宁永强 姜琛昱 王帆 高静 张星 王贞福 武晓东 檀慧明 |
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| 作者单位： | 苏州生物医学工程技术研究所;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60636020,60706007,10974012,60876036和90923037); 中国科学院知识创新工程重要方向项目(094305L099),中国科学院知识创新工程领域前沿项目; 吉林省科技发展项目(20080335和200805168); 苏州医工所青年引导基金(093101L090),苏州医工所筹建期科技创新项目(I05301L101,I05401L102)资助课题 |
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| 摘 要： | 从M2因子、远场发散角、近场及远场光强分布等方面对大功率底发射半导体激光器光束质量进行研究,分析了不同器件参数对光束质量的影响,为寻找有效改善光束质量的方法提供了依据。设计了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光(VCSEL)阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距,在4 A的工作电流下得到1 kW/cm2的高功率密度和高斯远场分布。与具有相同出光面积的单管器件和4×4二维阵列比较,新型阵列的光谱特性及光束质量均具有优越性。
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| 关 键 词： | 激光器 垂直腔面发射 阵列 光束质量 |
Beam Quality of High Power Vertical-Cavity Bottom-Emitting Semiconductor Lasers |
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| Cui Jinjiang Ning Yongqiang Jiang Chenyu Wang Fan Gao JingZhang Xing Wang Zhenfu Wu Xiaodong Tan Huiming.Beam Quality of High Power Vertical-Cavity Bottom-Emitting Semiconductor Lasers[J].Chinese Journal of Lasers,2011(1). |
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| Authors: | Cui Jinjiang Ning Yongqiang Jiang Chenyu Wang Fan Gao JingZhang Xing Wang Zhenfu Wu Xiaodong Tan Huiming |
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| Affiliation: | Cui Jinjiang1 Ning Yongqiang2 Jiang Chenyu1 Wang Fan1 Gao Jing1Zhang Xing2 Wang Zhenfu2 Wu Xiaodong1 Tan Huiming1(1Suzhou Institute of Biomedical Engineering and Technology,Suzhou,Jiangsu 215163,China2Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun,Jilin 130033,China) |
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| Abstract: | Research on the beam quality of high-power bottom-emitting laser-diode from the M2 factor,the far field divergence angle,near field and far-field intensity distribution is done.Analysis of different device parameters on the beam quality is also made.Vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) array with a novel arrangement is designed.By the modulation of the aperture size and the centre spacing of the units,high power density up to 1 kW/cm2 and good beam property of Gaussian far-field distribution at 4 A... |
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| Keywords: | lasers vertical cavity surface-emitting array beam quality |
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