| 快速热退火提高应变InAs／InP量子阱结构的晶体质量 |
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| 引用本文： | 邢启江 章蓓. 快速热退火提高应变InAs／InP量子阱结构的晶体质量[J]. 半导体光电, 1996, 17(4): 357-361 |
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| 作者姓名： | 邢启江 章蓓 |
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| 作者单位： | 北京大学 |
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| 摘 要： | 研究了快速热退火对应变ＩｎＡｓ／ＩｎＰ单晶子阱结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度地加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５ｍｅＶ。
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| 关 键 词： | 半导体 量子阱结构 快速热退火 火荧光 晶体质量 |
Enhancement of crystalline quality of strained InAs/InP quantum well structures by rapid thermal annealing |
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| XING Qijiang,ZHANG Bei,WANG Shumin. Enhancement of crystalline quality of strained InAs/InP quantum well structures by rapid thermal annealing[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1996, 17(4): 357-361 |
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| Authors: | XING Qijiang ZHANG Bei WANG Shumin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | s:Semiconductor Technology Quantum Well Structures Rapid Thermal Annealing Photoluminescence Crystal Quality |
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