| ZnAl2O4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 |
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| 引用本文： | 何金孝,段垚,王晓峰,崔军朋,曾一平,李晋闽.ZnAl2O4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响[J].半导体学报,2008,29(7):1334-1337. |
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| 作者姓名： | 何金孝 段垚 王晓峰 崔军朋 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室，北京 100083；中国科学院半导体研究所 半导体照明研发中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室，北京 100083；中国科学院半导体研究所 半导体照明研发中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料科学重点实验室，北京 100083；中国科学院半导体研究所 半导体照明研发中心，北京 100083 |
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| 摘 要： | 首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342").用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm.
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| 关 键 词： | ZnO单晶厚膜 MVPE ZnAl2O4缓冲层 溶胶-凝胶法 ZnO-Al2O3固溶体 DCXRD |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)07-1334-04 |
| 修稿时间： | 1/4/2008 1:44:15 PM |
Role of a ZnAl2O4 Buffer Layer in the Metal Vapor Phase Epitaxy of ZnO |
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| He Jinxiao,Duan Yao,Wang Xiaofeng,Cui Junpeng,Zeng Yiping and Li Jinmin.Role of a ZnAl2O4 Buffer Layer in the Metal Vapor Phase Epitaxy of ZnO[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(7):1334-1337. |
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| Authors: | He Jinxiao Duan Yao Wang Xiaofeng Cui Junpeng Zeng Yiping and Li Jinmin |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Semiconductor Materials,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Science,Beijing 100083,China ;Semiconductor Lighting Research and Development Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083, China;Key Laboratory of Semiconductor Materials,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Science,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Science,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Science,Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Science,Beijing 100083,China ;Semiconductor Lighting Research and Development Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083, China;Key Laboratory of Semiconductor Materials,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Science,Beijing 100083,China ;Semiconductor Lighting Research and Development Center,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO crystal thick film MVPE ZnAl2O4 buffer layer sol-gel process ZnO-Al2O3 solid solution DCXRD |
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