| 用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度 |
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| 引用本文： | 沈晓明,付羿,冯淦,张宝顺,冯志宏,杨辉.用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度[J].半导体学报,2002,23(10):1093-1097. |
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| 作者姓名： | 沈晓明 付羿 冯淦 张宝顺 冯志宏 杨辉 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083;广西大学理学院,物理系,南宁,530004;2. 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69825107; |
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| 摘 要： | 尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.侧向外延是在SiO2/GaN/GaAs图形衬底上进行的,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)进行了观察和分析,TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5×109cm-2降低至生长后的6×108cm-2.双晶X射线衍射(DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描(002)衍射摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为33′和17.8′,表明晶体质量有了较大改善.对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论.
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| 关 键 词： | 立方相GaN MOVPE 侧向外延 SEM TEM |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)10-1093-05 |
| 修稿时间： | 2002年4月6日 |
Reduction of Stacking Fault Density in Cubic GaN Epilayers via Epitaxial Lateral Overgrowth |
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| Shen Xiaoming ,Fu Yi ,Feng Gan ,Zhang Baoshun ,Feng Zhihong and Yang Hui.Reduction of Stacking Fault Density in Cubic GaN Epilayers via Epitaxial Lateral Overgrowth[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(10):1093-1097. |
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| Authors: | Shen Xiaoming Fu Yi Feng Gan Zhang Baoshun Feng Zhihong and Yang Hui |
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| Affiliation: | Shen Xiaoming 1,2,Fu Yi 1,Feng Gan 1,Zhang Baoshun 1,Feng Zhihong 1 and Yang Hui 1 |
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| Abstract: | Epitaxial lateral overgrown (ELOG) cubic GaN (c-GaN) on patterned SiO_2/GaN/GaAs(001) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) is investigated using transmission electron microscope (TEM) and scanning electron microscope (SEM).TEM observations show a substantial reduction of stacking fault density in ELOG c-GaN,compared to that in conventional two-step grown c-GaN.The reduction mechanism of stacking faults in cubic GaN layers via lateral epitaxy is discussed. |
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| Keywords: | cubic-GaN MOVPE ELOG SEM TEM |
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