| 关于产生安培力的微观机制问题 |
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| 引用本文： | 胡传镛. 关于产生安培力的微观机制问题[J]. 河北工程大学学报(自然科学版), 1989, 0(4) |
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| 作者姓名： | 胡传镛 |
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| 作者单位： | 河北煤炭建筑工程学院基础部 |
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| 摘 要： | 本文较详细地分析了霍耳系数不同的导体和半导体中,晶格正、负离子、自由电子、导电电子、空穴,以及霍耳电场所受的各种力中,哪些对安培力有贡献,哪些没有贡献。从而进一步阐明产生安培力的微观机制。
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| 关 键 词： | 洛仑兹力 霍耳系数 霍耳电场 自由电子 导电电子 空穴 |
Microcosmic Mechanism Generating Ampere-force |
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| Hu Chuanyong. Microcosmic Mechanism Generating Ampere-force[J]. Journal of Hebei University of Engineering(Natural Science Edition), 1989, 0(4) |
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| Authors: | Hu Chuanyong |
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| Affiliation: | Hu Chuanyong |
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| Abstract: | This paper analyses in detail which forces exerted on crystal lattice's cations and anions, free electrons, conducting electrons, holes and Hall electrifieldin various conductorial and semiconduct ductial materials that have different Hall coefficient contribute toAmpere-force, and elucidates microcosmic mechanism generating Ampere-force. |
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| Keywords: | lorentz-force Hall coefficient Hall electrifield free electrons conducting electrons holes. |
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