| 长波光伏碲镉汞材料上的欧姆接触 |
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| 引用本文： | 赵鸿燕, 鲁正雄, 赵岚, 成彩晶. 长波光伏碲镉汞材料上的欧姆接触[J]. 红外技术, 2005, 27(3): 260-262. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.03.019 |
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| 作者姓名： | 赵鸿燕 鲁正雄 赵岚 成彩晶 |
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| 作者单位： | 中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009 |
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| 摘 要： | 碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一.利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞材料上做了接触性能研究,通过实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出In与n型和p型HgCdTe材料间的接触电阻率分别为3.25×10-4Ω cm2、8.95×10-4Ω·cm2.
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| 关 键 词： | 碲镉汞 欧姆接触 接触电阻率 |
| 文章编号： | 1001-8891(2005)03-0260-03 |
Ohmic Contacts on Long Wave Photovoltaic HgCdTe |
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| ZHAO Hong-yan, LU Zheng-xiong, ZHAO Lan, CHENG Cai-jing. Ohmic Contacts on Long Wave Photovoltaic HgCdTe[J]. Infrared Technology , 2005, 27(3): 260-262. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2005.03.019 |
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| Authors: | ZHAO Hong-yan LU Zheng-xiong ZHAO Lan CHENG Cai-jing |
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| Keywords: | HgCdTe ohmic contact specific contact resistance |
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