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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
MOCVD生长大功率单量子阱激光器
作者姓名:
郑联喜
肖智博
韩勤
金才政
周帆
马朝华
胡雄伟
作者单位:
中国科学院半导体研究所
摘 要:
本文介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量于阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122,700cm2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功率密度达4MW/cm2,斜率效率为1.2W/A,在1W恒功老化4000小时电流增加小于10%,预计寿命可超过两万小时.
关 键 词:
单量子阱激光器 激光器 MOCVD
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