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准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究
引用本文:冯亚军,徐卓,李振荣,张麟,姚熹.准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究[J].无机材料学报,2006,21(5):1127-1133.
作者姓名:冯亚军  徐卓  李振荣  张麟  姚熹
作者单位:西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安,710049
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金;教育部科学技术研究项目
摘    要:(1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64.0%附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界,在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能.本文选取PbTiO3含量在64.0%-65.5%的准同型相界附近的材料组分,利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS—PT陶瓷,通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究,发现在x=64.5%的组分条件下,BS—PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能,其室温压电常数d33可达500pC/N,且居里温度(Tc)达到了438℃,剩余极化强度和电致应变分别为44μC/cm^2和3.5‰.研究表明,准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料.

关 键 词:准同型相界  高居里温度  压电陶瓷
文章编号:1000-324X(2006)05-1127-07
收稿时间:08 8 2005 12:00AM
修稿时间:2005-08-082005-10-25

High Temperature Piezoelectric Ceramics (1-x)BiScO3-xPbTiO3 Near the Morphotropic Phase Boundary (MPB)
FENG Ya-Jun,XU Zhuo,LI Zhen-Rong,ZHANG Lin,YAO Xi.High Temperature Piezoelectric Ceramics (1-x)BiScO3-xPbTiO3 Near the Morphotropic Phase Boundary (MPB)[J].Journal of Inorganic Materials,2006,21(5):1127-1133.
Authors:FENG Ya-Jun  XU Zhuo  LI Zhen-Rong  ZHANG Lin  YAO Xi
Abstract:
Keywords:BS-PT
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