| 准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究 |
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| 引用本文： | 冯亚军,徐卓,李振荣,张麟,姚熹. 准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究[J]. 无机材料学报, 2006, 21(5): 1127-1133. DOI: 10.3724/SP.J.1077.2006.01127 |
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| 作者姓名： | 冯亚军 徐卓 李振荣 张麟 姚熹 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安,710049 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金;教育部科学技术研究项目 |
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| 摘 要： | （1-x）BiScO3-xPbTiO3陶瓷（简记BS-PT）在x=64．0％附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界，在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能．本文选取PbTiO3含量在64．0％-65．5％的准同型相界附近的材料组分，利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS—PT陶瓷，通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究，发现在x=64．5％的组分条件下，BS—PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能，其室温压电常数d33可达500pC／N，且居里温度（Tc）达到了438℃，剩余极化强度和电致应变分别为44μC／cm^2和3．5‰．研究表明，准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料．
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| 关 键 词： | 准同型相界 高居里温度 压电陶瓷 |
| 文章编号： | 1000-324X（2006）05-1127-07 |
| 收稿时间： | 2005-08-08 |
| 修稿时间： | 2005-08-082005-10-25 |
High Temperature Piezoelectric Ceramics (1-x)BiScO3-xPbTiO3 Near the Morphotropic Phase Boundary (MPB) |
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| FENG Ya-Jun,XU Zhuo,LI Zhen-Rong,ZHANG Lin,YAO Xi. High Temperature Piezoelectric Ceramics (1-x)BiScO3-xPbTiO3 Near the Morphotropic Phase Boundary (MPB)[J]. Journal of Inorganic Materials, 2006, 21(5): 1127-1133. DOI: 10.3724/SP.J.1077.2006.01127 |
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| Authors: | FENG Ya-Jun XU Zhuo LI Zhen-Rong ZHANG Lin YAO Xi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BS-PT |
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