| 高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究 |
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| 引用本文： | 卞铮,李冰. 高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究[J]. 微电子学, 2008, 38(4) |
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| 作者姓名： | 卞铮 李冰 |
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| 作者单位： | 东南大学,集成电路学院,南京,210096 |
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| 摘 要： | 对500～1200 V统一工艺平台的VDMOS功率器件的钝化膜工艺进行了研究.通过选择钝化膜介质(SiON)工艺条件,选择合适的光刻条件,使该器件的表面极化低于50 V,大大增强了器件在高压工作环境下的可靠性.
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| 关 键 词： | 功率器件 钝化膜 氮氧化硅 极化 |
Research on SiON Passivation Process for High Breakdown Voltage and High Reliability VDMOS Device |
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| BIAN Zheng,LI Bing. Research on SiON Passivation Process for High Breakdown Voltage and High Reliability VDMOS Device[J]. Microelectronics, 2008, 38(4) |
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| Authors: | BIAN Zheng LI Bing |
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| Keywords: | VDMOS |
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