| SiGeC/Si异质结二极管特性分析与优化设计 |
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| 引用本文： | 刘静,高勇,王彩琳,马丽. SiGeC/Si异质结二极管特性分析与优化设计[J]. 固体电子学研究与进展, 2008, 28(4) |
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| 作者姓名： | 刘静 高勇 王彩琳 马丽 |
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| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系,西安,710048;西安理工大学应用物理系,西安,710048 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 ， 高等学校博士学科点专向科研基金 ， 西安理工大学优秀博士学位论文研究基金 |
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| 摘 要： | 基于异质结理论,提出了一种新型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管结构。分析了C对SiGe合金的应变补偿作用的物理机理。利用MEDICI模拟、对比分析了C的引入对器件电特性的影响,并针对不同Ge/C组分比进行优化设计。结果表明:在SiGe/Si功率二极管中加入少量的C,在基本不影响器件正向I-V特性和反向恢复特性的前提下,大大减少了器件的反向漏电流,提高了器件稳定性,而且对于一定的Ge含量存在一个C的临界值,使得二极管具有最小的反向漏电流,该临界值的提出,对研究其它结构SiGeC/Si异质结半导体器件有一定的参考意义。
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| 关 键 词： | 硅锗碳 功率二极管 临界值 漏电流 |
Characteristic Analysis and Optimal Design of SiGeC/Si Heterojunction Diodes |
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| LIU Jing,GAO Yong,WANG Cailin,MA Li. Characteristic Analysis and Optimal Design of SiGeC/Si Heterojunction Diodes[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2008, 28(4) |
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| Authors: | LIU Jing GAO Yong WANG Cailin MA Li |
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| Affiliation: | LIU Jing1 GAO Yong1 WANG Cailin1 MA Li2 (1Department of Electronic Engineering,Xi'an University of Techonlogy,Xi'an,710048,CHN) (2Department of Applied Physics,CHN) |
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| Abstract: | A novel structure of p+(SiGeC)-n--n+ heterojunction power diodes is presented based on heterojunction theory. The physical mechanism on strain compensation effects of C for SiGe alloys is analyzed. Using MEDICI,the effects on the device characteristics by incorporation of carbon are simulated and analyzed. Besides,the optimal design is also carried out by adjusting Ge/C ratio in p+ (SiGeC) layers. The simulation results indicate that the device reverse leakage current and the dependence of its characteristi... |
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| Keywords: | SiGeC power diodes critical value leakage current |
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