寄生电感对微波静电感应晶体管功率增益影响的等效电路分析

研究了微波静电感应晶体管(SIT)中源电感对功率增益的影响。人们一般认为晶体管的高频特性受管壳的影响,但关于管壳的分析还没怎么进行。首先由 SIT 的结构和工作原理确定其高频等效电路,利用由静态特性得出的器件常数进行数值计算求出 S 参数值,并与试作的 SIT 的实测值进行比较,两者确实是很一致的。用这个等效电路对源电感对功率增益的频率特性的影响进行了数学分析。在稳定状态得到的最大增益的频率特性,在低频范围以3dB 倍频程下降,在高频范围以6dB 倍频程下降。若源电感变大,则从3dB 倍频程变到6dB 倍频程的频率下降,虽然低频的增益不变,但高频的增益降低,从而得出管壳设计的方向。另外,由于管壳的改进,1GHz 输出20W 时的增益由4dB 提高到5dB,证实了上述的解析结果是妥当的。