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MOCVD生长的CdZnTe/ZnTe多量子阱的激子光学特性
作者姓名:栗红玉 申德振
摘    要:用常压MOCVD方法在GaAs(100)衬底上生长了CdZnTe/ZnTe多量子阱。在室温下,观测到了CdZnTe/ZnTe多量子阱的三个谱带发光。

关 键 词:激光光学 多量子阱 MOCVD 生长
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