| 衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 曾昱嘉,叶志镇,吕建国,李丹颖,朱丽萍,赵炳辉. 衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响[J]. 无机材料学报, 2005, 20(3): 750-754 |
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| 作者姓名： | 曾昱嘉 叶志镇 吕建国 李丹颖 朱丽萍 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重大基础研究项目(G20000683-06)国家自然科学基金(90201038) |
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| 摘 要： | 目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.
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| 关 键 词： | p-ZnO 磁控溅射 共掺 |
| 文章编号： | 1000-324X(2005)03-0750-05 |
| 收稿时间： | 2004-04-19 |
| 修稿时间： | 2004-05-27 |
Effects of Substrate Temperature on Properties of Al+N Codoped p-type ZnO Films |
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| ZENG Yu-Jia,YE Zhi-zhen,U Jian-guo,LI Dan-ying,ZHU Li-Ping,ZHAO Bing-hui. Effects of Substrate Temperature on Properties of Al+N Codoped p-type ZnO Films[J]. Journal of Inorganic Materials, 2005, 20(3): 750-754 |
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| Authors: | ZENG Yu-Jia YE Zhi-zhen U Jian-guo LI Dan-ying ZHU Li-Ping ZHAO Bing-hui |
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| Affiliation: | StateKeyLabofSiliconMaterials;ZhejiangUniversity;Hangzhou310027;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-type ZnO magnetron sputtering codoping |
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