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| 静态MOS存储器中门控管导通条件的分析 | |
| 引用本文： | 刘方鑫.静态MOS存储器中门控管导通条件的分析[J].半导体技术,1984(3). |
| 作者姓名： | 刘方鑫 |
| 作者单位： | 中国矿业学院 |
| 摘 要： | 目前流行的一些教科书、科技书(见参考资料1]～7]),在论述半导体存储器工作原理时,对静态MOS存储器中门控管导通条件的分析只注意了管子栅极的电位.因此提出只要在存储单元的字线上加入脉冲,门控管将被导通.有的书(见参考资料4])还明确提出:“在字线上加入脉冲同时将门控管T_5,T_6打开”.有的外文科技书也有类似的说法(见参考资料8]). |
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