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掺Al对ZnO薄膜发光性能的调控作用
引用本文:徐自强,邓宏,谢娟,李燕. 掺Al对ZnO薄膜发光性能的调控作用[J]. 光电子.激光, 2006, 17(3): 257-260
作者姓名:徐自强  邓宏  谢娟  李燕
作者单位:电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054
基金项目:科技部科研项目;国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:采用溶胶-凝胶法,在玻璃上制备了不同掺Al浓度的ZnO薄膜。x射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角移动,峰强逐渐减弱。探讨了掺Al对ZnO薄膜发光性能的调控作用,薄膜的透射谱表明:通过改变掺Al浓度,可以提高ZnO薄膜的紫外光透过率,使其吸收边向短波长方向的移动被控制在一定的范围内,从而使薄膜禁带宽度连续可凋;薄膜的光致发光(PL)谱显示:纯ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光和深能级缺陷发光组成,通过掺Al有助于减少薄膜的缺陷,减弱深能级的缺陷发光,同时紫外带边发射的峰位向高能侧蓝移,与吸收边缘移动的结果相吻合,由紫外发光峰位获得的光禁带与通过透射谱拟合得到的光禁带基本一致。

关 键 词:溶胶-凝胶法  Al掺杂  ZnO薄膜  光致发光(PL)  蓝移
文章编号:1005-0086(2006)03-0257-04
收稿时间:2005-06-04
修稿时间:2005-06-04

Al-doping Effects on Optical Properties of C-axis Orientated ZnO:Al Thin Films Prepared by the Sol-gel Method
XU Zi-qiang,DENG Hong,XIE Juan,LI Yan. Al-doping Effects on Optical Properties of C-axis Orientated ZnO:Al Thin Films Prepared by the Sol-gel Method[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2006, 17(3): 257-260
Authors:XU Zi-qiang  DENG Hong  XIE Juan  LI Yan
Affiliation:School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054, China
Abstract:
Keywords:sol-gel method  Al-doped  ZnO thin films  Photoluminescence(PL)  blue shift  
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