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| 自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究 | |
| 引用本文： | 尚勋忠,松下和征,井上知也,喜多隆,和田修,保田英洋,森博太郎. 自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究[J]. 固体电子学研究与进展, 2007, 27(2): 151-153 |
| 作者姓名： | 尚勋忠 松下和征 井上知也 喜多隆 和田修 保田英洋 森博太郎 |
| 作者单位： | 1. 湖北大学材料科学与工程学院,武汉,430072;日本神户大学工学部电子电气工程系 2. 日本神户大学工学部电子电气工程系 3. 日本神户大学工学部机械工程系 4. 日本大阪大学超高压电子显微镜研究中心 |
| 摘 要： | 用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。 |
| 关 键 词： | 砷化铟量子点 氮化 光荧光 |
| 文章编号： | 1000-3819(2007)02-151-03 |
| 修稿时间： | 2005-07-25 |
Investigation of Nitrided InAs/GaAs Self-assembled Quantum Dots |
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| SHANG Xunzhong,K.Matsushita,T.Inoue,T.Kita,O.Wada,H.Yasuda,H.Mori. Investigation of Nitrided InAs/GaAs Self-assembled Quantum Dots[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2007, 27(2): 151-153 | |
| Authors: | SHANG Xunzhong K.Matsushita T.Inoue T.Kita O.Wada H.Yasuda H.Mori |
| Abstract: | The optical and microstructural properties of nitrided self-assembled InAs/GaAs quantum dots were investgated by low temperature(13 K) photoluminescence(PL) and transmission electron microscopy(TEM).It is found that with increasing the nitridation time,dislocation density increases,PL peak energy extends,PL intensity decreases and the aspect ratio increases significantly.All the results are attributed to strain relaxation,and the restraints of In segregation and In/Ga intermixing,which are caused by the formation of an InAsN thin layer covering the QDs after nitridation. |
| Keywords: | InAs QDs nitridation photoluminescence |
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