JFET器件精确掺杂控制技术研究

对于JFET器件而言,沟道和顶栅是JFET器件的核心,其结构和掺杂分布将决定器件的击穿电压、夹断电压、漏极饱和电流、跨导和ft等关键参数。通过对JFET器件沟道和顶栅形成过程中,其精确掺杂控制技术的研究,实现高性能JFET器件的结构要求:即器件的顶栅结深约为100nm,顶栅的浓度比沟道德浓度高一到两个数量级。