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| 炭素专利 | |
| 摘 要： | 正公开号:CN108147398B公开日:2021-05-18申请人:深圳大学发明人:房瑞阳,高致慧,李辉,等发明名称:在传感器基体表面制备石墨烯层的方法本发明涉及一种在传感器基体表面制备石墨烯层的方法,步骤如下:以铜箔为衬底,使用化学气相沉淀法制得石墨烯层,并对其形成支撑膜;去除多余的石墨烯和支撑膜,去除所述衬底;将石墨烯层的无支撑膜一面放置在传感器基底表面,使二者接触并经过加热处理使得石墨烯层结合在基体表面;去掉支撑膜,并清洁石墨烯层表面;重复上述步骤, |
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