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Bi-CMOS工艺的高精度单向模拟开关研究
引用本文:袁凯,李志辉,高松,陈东石,王东梅,田松. Bi-CMOS工艺的高精度单向模拟开关研究[J]. 微处理机, 2002, 0(3): 《微处理机》-2002年3期-17-19.2页-《微处理机》-2002年3期-17-19.2页
作者姓名:袁凯  李志辉  高松  陈东石  王东梅  田松
作者单位:东北微电子研究所,沈阳,110032
摘    要:分析了一种以Bi-CMOS工艺实现的高精度单向隔离模拟开关,这种开关用在高速A/D转换器中使电路结构大为简化,通过对开关特性的理论分析=电路模拟及工艺验证,证明了这种模拟开关所具有的高速可控性和传输信号的精度均优于双极工艺所实现的单向隔离模拟开关。

关 键 词:Bi-CMOS工艺 高精度单向模拟开关 A/D转换器 多元逻辑

Investigation on a High Precision Single-way Analog Switch by Bi-CMOS Process
Yuan Kai,et al. Investigation on a High Precision Single-way Analog Switch by Bi-CMOS Process[J]. Microprocessors, 2002, 0(3): 《微处理机》-2002年3期-17-19.2页-《微处理机》-2002年3期-17-19.2页
Authors:Yuan Kai  et al
Abstract:The paper analyses a high precision single-way isolated analog switch which based on Bi-CMOS process.It simplify the circuit structure when the switch apply to high speed transformer.The theory analyses of the switch's on-off characteristic, simulation of the circuit and validate of process have been done,they all prove the good controllable character of the imitative switch and the high precision transference signal,which is better than the high precision single-way isolation imitative switch carried out by TTL process.
Keywords:high precision  analog switch  Bi-CMOS
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