| 850 nm氧化限制型VCSEL研究 |
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| 引用本文： | 岳爱文,王任凡,沈坤,石兢. 850 nm氧化限制型VCSEL研究[J]. 光通信研究, 2004, 0(2): 36-38,58 |
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| 作者姓名： | 岳爱文 王任凡 沈坤 石兢 |
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| 作者单位： | 武汉电信器件公司,湖北,武汉,430074;武汉大学,物理系,湖北,武汉,430072;武汉电信器件公司,湖北,武汉,430074;武汉大学,物理系,湖北,武汉,430072 |
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| 摘 要： | 通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω和25Ω,激光器具有良好的温度特性和可靠性,可应用于1.25Gbit/s数据通信.
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 砷化镓 分布布拉格反射器 |
| 文章编号： | 1005-8788(2004)02-0036-03 |
Research on the 850 nm oxide-confined VCSEL |
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| YUE Ai-wen. Research on the 850 nm oxide-confined VCSEL[J]. Study on Optical Communications, 2004, 0(2): 36-38,58 |
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| Authors: | YUE Ai-wen |
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| Affiliation: | YUE Ai-wen~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vertical cavity surface emitting lasers(VCSEL) GaAs distributed Bragg reflector |
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