| 由浅离子注入实现的MQW混合 |
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| 引用本文： | 朱洪亮 韩德俊. 由浅离子注入实现的MQW混合[J]. 光电子．激光, 2000, 11(3): 255-257 |
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| 作者姓名： | 朱洪亮 韩德俊 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
2. 北京师范大学低能核物理所,北京,100875 |
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| 基金项目： | “八六三”计划资助项目![863 -3 0 7-11-1( 15 ) ] |
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| 摘 要： | 用浅Ｐ＾＋离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变多量子阱（ＭＱＷ）激光器Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，体内ＭＱＷ层发生组份混合（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ），导致器件的带隙波长蓝移（ｂｌｕｅ ｓｈｉｆｔ），结构的光荧光（ＰＬ）峰值波长向短波方向移动了７６ｎｍ。作者认为，有源区中的应力对量子阱混合起到了十分关键性的作用。
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| 关 键 词： | 量子阱混合 蓝移 离子注入 激光器 |
| 修稿时间： | 1999-10-05 |
MQW Intermixing by Shallow Ion Implantation |
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| ZHU Hong-liang,HAN De-jun. MQW Intermixing by Shallow Ion Implantation[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2000, 11(3): 255-257 |
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| Authors: | ZHU Hong-liang HAN De-jun |
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| Affiliation: | ZHU Hong-liang,HAN De-jun 1 |
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| Abstract: | It has been obtained that a waveleng th blue-shift of 76 nm using shallow P + ion implanting into a epitaxy-finishe d laser-structure of InGaAs/InGaAsP SL-MQW and annealing at H 2/N 2 mix ing gas,and found that the strain in the active region of InGaAs/InGaAsP SL-MQW can lead QW intermixing more effectively. |
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| Keywords: | QWI blue shift ion implantation |
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