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| 直接合成InP单晶 | |
| 引用本文： | 黄志清.直接合成InP单晶[J].上海有色金属,1986(4). |
| 作者姓名： | 黄志清 |
| 摘 要： | 日本光电子学综合研究室研究成功优质InP单晶直接合成法。这种方法称为液相磷切克劳斯基法,In和P熔体上采用液态磷复盖,而不用氧化硼等传统复盖剂。为此原料含有比铟稍多的磷。该项发明的关键在于发现了液相磷的复盖效应。新方法与传统的多晶InP法相比,原材 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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