| Raman谱研究不同缓冲层结构对Si1-xGex 应力弛豫的影响 |
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| 引用本文： | 李代宗 成步文. Raman谱研究不同缓冲层结构对Si1-xGex 应力弛豫的影响[J]. 半导体学报, 2000, 21(8): 760-764 |
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| 作者姓名： | 李代宗 成步文 |
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| 作者单位： | 李代宗（中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京100083）;成步文（中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京100083）;黄昌俊（中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京100083）;王红杰（中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京100083）;于卓（中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京100083）;张春晖（中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京100083） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，编号69746001，69896260-06和69787004[ProjectSupported byNational Natural Sci-ence Foundation of China Under Grant No．69746001，69896260-06and 69787004]． |
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| 摘 要： | 应用Ｒａｍａｎ散射谱研究超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层应力弛豫的影响。Ｒａｍａｎ散射的峰位不位与Ｇｅ组分有关，而且与其中的应力状态有关。
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| 关 键 词： | 缓冲层 Raman散射谱 应力弛豫 锗化硅 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)08-0760-05 |
| 修稿时间： | 1999-07-02 |
Influence of Buffer Structure on Relaxation of Stress in Si1-xGexby Raman Spectra |
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| LI Dai-zong ,CHENG Bu-wen ,HUANGChang-jun ,WANG Hong-jie ,YU Zhuo ,ZHANG Chun-hui (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics. Influence of Buffer Structure on Relaxation of Stress in Si1-xGexby Raman Spectra[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(8): 760-764 |
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| Authors: | LI Dai-zong CHENG Bu-wen HUANGChang-jun WANG Hong-jie YU Zhuo ZHANG Chun-hui (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics |
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| Affiliation: | LI Dai-zong ,CHENG Bu-wen ,HUANGChang-jun ,WANG Hong-jie ,YU Zhuo ,ZHANG Chun-hui ;(State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics |
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