8～12μmn p 型碲镉汞光电二极管的电流机理与1/f 噪声

工艺上的改进促成了产生一复合电流和1/f噪声低的注硼8～12μn~ p结Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te结型光电二极管,本文利用扩散及产生一复合电流与温度的依赖关系,首次成功地模拟了碲镉汞的伏安特性曲线。它与光电二极管面积的关系表明,产生一复合电流实质上是一种表面电流,可由耗尽层表面复合速度描述,这是在S_0=2×10~6cm/s时测量的。利用这种伏安模拟技术可定量地测定S_0,经过改进,S_0可减少至4 ×10~4cm/s_0探测器偏置对1/f噪声有很大影响,最小的1/f噪声出现在零偏时。最近报导了3～5μ碲镉汞光电二极管的这种1/f噪声与表面产生一复合电流的关系。目前的8～12μ碲镉汞光电二极管表明,在所观察的S_0范围内,都具有类似的关系。