| 区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成 |
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| 引用本文： | 李传波,李怀祥,刘桂荣,郭成花,张华,薛成山. 区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成[J]. 半导体学报, 2002, 23(4): 382-387 |
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| 作者姓名： | 李传波 李怀祥 刘桂荣 郭成花 张华 薛成山 |
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| 作者单位： | 山东师范大学半导体研究所,济南,250014,北京科技大学冶金学院,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69971014; |
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| 摘 要： | 中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.
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| 关 键 词： | 区熔硅 微缺陷 洁净区 中子辐照掺杂 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)04-0382-06 |
| 修稿时间： | 2001-05-27 |
Formation of Denuded Zone and Bulk Micro-Defects顾in Floating Zone Silicon |
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