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| 电荷耦合器件抗γ总剂量辐射加固 | |
| 作者姓名： | 刘俊刚 李敬虹 |
| 作者单位： | 重庆光电技术研究所 |
| 摘 要： | 文章从电荷耦合器件的基本工作原理出发，探讨了ＣＣＤ地γ电离辐射效应，着重分析了表面损伤效应及其对ＣＣＤ各结构的影响，提出了ＣＣＤ抗γ总剂量辐射加固的结构设计途径及加固工艺。 |
| 关 键 词： | 电荷耦合器件 辐射效应 辐射加固 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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