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xPb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3–(1–x)Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3压电陶瓷的准同型相界与介电性能
引用本文:张震,曹林洪,魏贤华,余洪滔,徐光亮. xPb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3–(1–x)Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3压电陶瓷的准同型相界与介电性能[J]. 硅酸盐学报, 2010, 0(3)
作者姓名:张震  曹林洪  魏贤华  余洪滔  徐光亮
作者单位:西南科技大学材料科学与工程学院;
基金项目:国家自然科学基金(50802078);;西南科技大学博士研究基金(07ZX0106)资助项目
摘    要:采用铌铁矿预产物合成法制备组成在准同型相界(morphotropic phase boundary,MPB)附近的xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x)Pb(Zr0.48Ti0.52)O3(PMN-PZT,x=0.125,0.15,0.175,0.2,0.225,0.25,摩尔分数)压电陶瓷。X射线衍射和Raman光谱分析表明:所有陶瓷样品的相组成均为纯钙钛矿相,未探测到其他杂相;随PMN含量的增加,PMN-PZT压电陶瓷的相结构从四方相逐渐向菱方相转变,该体系的MPB组成在x=0.2附近,而且其相结构为四方相与菱方相共存。陶瓷断口的扫描电镜观察表明:陶瓷的晶粒尺寸约1~3μm。陶瓷的介电温谱表明:x=0.2,陶瓷的Curie温度为308.8℃,峰值介电常数约为16380,室温压电常数为351pC/N;陶瓷的Curie温度随PMN含量增加线性下降。

关 键 词:铌镁酸铅–锆钛酸铅陶瓷  准同型相界  介电性能  Raman光谱  

THE MORPHOTROPIC PHASE BOUNDARY AND DIELECTRIC PROPERTIES OF xPb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-(1-x)Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3 PIEZOELECTRIC CERAMICS
ZHANG Zhen,CAO Linhong,WEI Xianhua,YU Hongtao,XU Guangliang. THE MORPHOTROPIC PHASE BOUNDARY AND DIELECTRIC PROPERTIES OF xPb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-(1-x)Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3 PIEZOELECTRIC CERAMICS[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2010, 0(3)
Authors:ZHANG Zhen  CAO Linhong  WEI Xianhua  YU Hongtao  XU Guangliang
Affiliation:School of Material Science and Engineering;Southwest University of Science and Technology;Mianyang 621010;Sichuan;China
Abstract:
Keywords:
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