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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
掺杂对金属半导体氧化物气敏性能影响的研究
作者姓名:
姜涛 吴一平
作者单位:
华中理工大学材料系,华中理工大学材料系,华中理工大学材料系,华中理工大学材料系 武汉 430074,武汉 430074,武汉 430074,武汉 430074
摘 要:
综述了金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术,探讨了掺杂作用的机理,列举了对最典型半导体气敏元件的掺杂以及掺杂对气敏元件灵敏度和选择性的影响作用。
关 键 词:
气敏元件 掺杂 金属氧化物 半导体
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