| 低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响 |
| |
| 引用本文： | 李铸国,华学明,吴毅雄,三宅正司. 低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响[J]. 金属学报, 2005, 41(10): 1087-1090 |
| |
| 作者姓名： | 李铸国 华学明 吴毅雄 三宅正司 |
| |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200030
2. 近畿大学,大阪,5778502,日本 |
| |
| 摘 要： | 用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si（100）表面低温沉积TiN膜，研究了高密度低能量（≈20eV）离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响．结果表明，高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃，当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji／JTi≥4.7时，沉积的TiN膜仍可具有完全的（200）面择优生长，薄膜微观结构致密，硬度达到25GPa，残余压应力小．
|
| 关 键 词： | TiN薄膜 物理气相沉积（PVD） 择优取向 离子照射 |
| 文章编号： | 0412-1961（2005）10-1087-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-06 |
| 修稿时间： | 2005-04-062005-06-17 |
EFFECT OF LOW-ENERGY ION FLUX IRRADIATION ON THE GROWTH OF TiN FILM |
| |
| LI Zhuguo,HUA Xueming,WU Yixiong,MIYAKE Shoji. EFFECT OF LOW-ENERGY ION FLUX IRRADIATION ON THE GROWTH OF TiN FILM[J]. Acta Metallurgica Sinica, 2005, 41(10): 1087-1090 |
| |
| Authors: | LI Zhuguo HUA Xueming WU Yixiong MIYAKE Shoji |
| |
| Affiliation: | 1 School of Materials Science and Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200030;2 Kinki University, Osaka 5778502, Japan |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | TiN film PVD preferred growth ion irradiation |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
