| 勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟 |
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| 引用本文： | 宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安.勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟[J].半导体学报,2005,26(3):517-523. |
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| 作者姓名： | 宇慧平 隋允康 张峰翊 常新安 |
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| 作者单位： | [1]北京工业大学机电学院,北京100022 [2]北京有色金属研究总院,北京100088 [3]北京工业大学材料学院,北京100022 |
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| 基金项目： | 北京工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用低雷诺数Ｋ-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0.12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计算中采用有限体积法，运用SIMPLE(semiimplicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场，动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格式，紊动能和耗散项方程中对流项的离散采用迎风格式．数值模拟结果表明，在勾形磁场作用下，熔体硅内的流场、氧的浓度分布与无磁场作用相比有较大不同，随着磁场强度的增加，生长界面处氧的浓度降低，并且磁场确实能有效地抑制熔体内的紊流，有利于晶体生长．
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| 关 键 词： | 单晶硅 勾形磁场 氧浓度 紊流模型 勾形磁场 直径 熔体 氧浓度分布 数值模拟 Magnetic Field Cusp Crystal Growth Diameter Transportation Oxygen Simulation 晶体生长 紊流 生长界面 磁场强度 流场 磁场作用 模拟结果 迎风格式 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)03-0517-07 |
| 修稿时间： | 2004年3月2日 |
Numerical Simulation of Oxygen Transportation in 300mm Diameter CZ Si Crystal Growth Under Cusp Magnetic Field |
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| Yu Huiping,Sui Yunkang,Zhang Fengyi,Chang Xin''''an.Numerical Simulation of Oxygen Transportation in 300mm Diameter CZ Si Crystal Growth Under Cusp Magnetic Field[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3):517-523. |
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| Authors: | Yu Huiping Sui Yunkang Zhang Fengyi Chang Xin'an |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CZ Si cusp magnetic field oxygen distribution turbulence model |
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