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三聚氰胺修饰电极同位镀铋膜测定镉离子
引用本文:任旺,张英. 三聚氰胺修饰电极同位镀铋膜测定镉离子[J]. 化学传感器, 2010, 30(4)
作者姓名:任旺  张英
作者单位:四川理工学院化学与制药工程学院,四川自贡,643000;四川理工学院化学与制药工程学院,四川自贡,643000
基金项目:四川理工学院科技项目,四川省教育厅基金资助项目
摘    要:采用电聚合方法制备三聚氰胺修饰玻碳电极(PM/GC),然后在其表面同位镀铋膜,研究Cd2+在该电极上的溶出伏安行为,并与裸玻碳电极(GC)同位镀铋膜电极上Cd2+的溶出伏安行为进行比较.研究表明,镉在同位镀铋膜的PM/GC电极上可得到灵敏的溶出峰.在优化的实验条件下,镉的氧化峰电流与其在1.0×10~1.O×10-6mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,检测下限为5.0×10-8mol/L.由于每次溶出后可方便地将铋膜溶解更新,该方法重现性好.使用铋膜电极替代汞膜电极还有利于保护环境.

关 键 词:同位镀铋膜  镉离子  修饰电极  三聚氰胺

Detection of cadmium using synchronous plating bismuth film on poly(melamine)modified electrode
Ren Wang,Zhang Ying. Detection of cadmium using synchronous plating bismuth film on poly(melamine)modified electrode[J]. Chemical Sensors, 2010, 30(4)
Authors:Ren Wang  Zhang Ying
Abstract:
Keywords:
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