| 化合物半导体的THz发射光谱 |
| |
| 引用本文： | 赵国忠,张振伟,崔伟丽,张存林.化合物半导体的THz发射光谱[J].半导体学报,2005,26(z1):9-12. |
| |
| 作者姓名： | 赵国忠 张振伟 崔伟丽 张存林 |
| |
| 作者单位： | 首都师范大学物理系,北京,100037;首都师范大学物理系,北京,100037;首都师范大学物理系,北京,100037;首都师范大学物理系,北京,100037 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金
,
国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 利用反射式太赫兹(THz)辐射产生与探测系统,研究了基于不同半导体的THz发射光谱.通过快速傅里叶变换,由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱,从而对不同半导体的THz发射性质进行了比较.结果表明,未掺杂的砷化铟(InAs)较其他半导体材料有更高效的THz发射效率.
|
| 关 键 词： | THz 半导体 电光取样 发射光谱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0009-04 |
| 修稿时间： | 2004年9月10日 |
THz Emission Spectra Based on Different Compound Semiconductors |
| |
| Zhao Guozhong,Zhang Zhenwei,Cui Weili,Zhang Cunlin.THz Emission Spectra Based on Different Compound Semiconductors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(z1):9-12. |
| |
| Authors: | Zhao Guozhong Zhang Zhenwei Cui Weili Zhang Cunlin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
