| 温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响 |
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| 引用本文： | 欧琳,王静,林兴,赵勇,惠一恒,胡鹏飞,王广才. 温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响[J]. 半导体技术, 2021, 46(7): 546-552. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.07.009 |
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| 作者姓名： | 欧琳 王静 林兴 赵勇 惠一恒 胡鹏飞 王广才 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300350;南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津 300350;南开大学薄膜光电子技术教育部工程研究中心,天津 300350;南开大学天津市中欧太阳能光伏发电技术联合研究中心,天津 300350 |
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| 摘 要： | 锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域.InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能.采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比.采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃.同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象.这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴.
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| 关 键 词： | InSb 摩尔比 温度 气压 真空镀膜 |
Effects of Temperature and Pressure on the Mole Ratio of Sb/In in InSb Thin Film |
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| Ou Lin,Wang Jing,Lin Xing,Zhao Yong,Hui Yiheng,Hu Pengfei,Wand Guangcai. Effects of Temperature and Pressure on the Mole Ratio of Sb/In in InSb Thin Film[J]. Semiconductor Technology, 2021, 46(7): 546-552. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.07.009 |
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| Authors: | Ou Lin Wang Jing Lin Xing Zhao Yong Hui Yiheng Hu Pengfei Wand Guangcai |
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