| Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展 |
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| 引用本文： | 刘鹏浩,江弘胜,张明丹,张晓琴,陈胜,王文樑,李国强. Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展[J]. 半导体技术, 2021, 46(11): 825-832. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.11.001 |
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| 作者姓名： | 刘鹏浩 江弘胜 张明丹 张晓琴 陈胜 王文樑 李国强 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团重庆声光电有限公司,重庆 400060;华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,广州 510640 |
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| 摘 要： | 随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景.然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错.因此,控制Si衬底上Ge外延薄膜的位错密度成为高性能Ge器件制备的研究重点.文章着重介绍了插入层、低温成核层和选区外延生长技术3种Si衬底上Ge外延薄膜位错控制技术的基本原理及研究进展,讨论了Si基Ge器件的最新研究进展,并展望了Si基Ge薄膜生长和器件制备的发展前景.
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| 关 键 词： | Si基集成 Si基Ge薄膜 异质外延 位错控制 器件 |
Research Progress of Ge Epitaxial Film and Device on Si Substrate |
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| Liu Penghao,Jiang Hongsheng,Zhang Mingdan,Zhang Xiaoqin,Chen Sheng,Wang Wenliang,Li Guoqiang. Research Progress of Ge Epitaxial Film and Device on Si Substrate[J]. Semiconductor Technology, 2021, 46(11): 825-832. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.11.001 |
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| Authors: | Liu Penghao Jiang Hongsheng Zhang Mingdan Zhang Xiaoqin Chen Sheng Wang Wenliang Li Guoqiang |
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