| MOCVD法生长二维范德华材料的研究进展 |
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| 引用本文： | 柳鸣,郭伟玲,孙捷.MOCVD法生长二维范德华材料的研究进展[J].半导体技术,2021,46(7):497-503. |
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| 作者姓名： | 柳鸣 郭伟玲 孙捷 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京 100124;福州大学物理与信息工程学院,福州 350108 |
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| 摘 要： | 二维范德华材料凭借其优异的光学和电学特性,自被发现以来一直作为延续集成电路摩尔定律的重要基础电子材料而备受关注.通过机械剥离的方法得到高质量的二维材料进行实验室层面的研究工作已经不能满足现阶段的需要.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术可以得到高质量的大面积二维范德华材料,并具有生长层数和成核密度可控的优势.以过渡金属硫化物(TMDC)为例,分别从生长条件、金属有机源材料、衬底、催化剂等方面综述了采用MOCVD技术生长二维范德华材料的研究进展,同时讨论了二维材料的范德华异质结构的特性及应用.利用MOCVD技术优势可以推动二维范德华材料的大规模应用.最后总结了 MOCVD法生长二维范德华材料现阶段的优势与不足,并对其未来的发展进行了展望.
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| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 二维范德华材料 过渡金属硫化物(TMDC) MoS2 异质结 |
Research Progress of Two-Dimensional van der Waals Materials Grown by MOCVD |
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| Liu Ming,Guo Weiling,Sun Jie.Research Progress of Two-Dimensional van der Waals Materials Grown by MOCVD[J].Semiconductor Technology,2021,46(7):497-503. |
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| Authors: | Liu Ming Guo Weiling Sun Jie |
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