| 5～13 GHz GaAs限幅低噪声放大器MMIC |
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| 引用本文： | 曾志,周鑫.5～13 GHz GaAs限幅低噪声放大器MMIC[J].半导体技术,2021,46(5):354-357. |
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| 作者姓名： | 曾志 周鑫 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄 050051 |
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| 摘 要： | 基于0.15 μm GaAs pin二极管和GaAs PHEMT工艺,设计并实现了一款5～13 GHz限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC).该MMIC中限幅器采用三级反向并联二极管结构,优化了插入损耗和耐功率性能;LNA采用两级级联设计,利用负反馈和源电感匹配,在宽带下实现平坦的增益和较小的噪声;限幅器和LNA进行一体化设计,实现了宽带耐功率和低噪声目标.测试结果表明,在5～13GHz内,该MMIC的小信号增益大于20 dB,噪声系数小于1.8 dB,耐功率大于46 dBm(2 ms脉宽,30％占空比),总功耗小于190 mW,芯片尺寸为3.3 mm×1.2 mm.限幅LNA MMIC芯片的尺寸较小,降低了组件成本,同时降低了组件装配难度,提高通道之间的一致性.
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| 关 键 词： | GaAs 限幅低噪声放大器(LNA) 宽带 单片微波集成电路(MMIC) pin二极管 |
5-13 GHz GaAs Limiter Low Noise Amplifier MMIC |
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| Zeng Zhi,Zhou Xin.5-13 GHz GaAs Limiter Low Noise Amplifier MMIC[J].Semiconductor Technology,2021,46(5):354-357. |
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| Authors: | Zeng Zhi Zhou Xin |
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