| 多通道T/R组件多热源耦合仿真模型 |
| |
| 引用本文： | 彭浩,桂明洋,迟雷,宋瑛.多通道T/R组件多热源耦合仿真模型[J].半导体技术,2021,46(6):492-496. |
| |
| 作者姓名： | 彭浩 桂明洋 迟雷 宋瑛 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;河北工业职业技术学院环境与化学工程系,石家庄 050091 |
| |
| 摘 要： | 半导体器件可靠性受其热效应的影响,多通道T/R组件的温度场本身存在多热源耦合,还受到电磁损耗的影响.为定量研究组件的热效应,建立了基于有限元仿真的T/R组件热力学模型,除芯片热效应和组件的三维结构外,该模型还考虑了组件不同位置的材料特性、组件表面电磁功率损耗和印制电路板(PCB)布线,较传统模型大幅提高了模型精细化程度.通过仿真得到了多通道T/R组件的温度场分布,为组件热设计提供了依据,仿真分析认为PCB含铜量和外壳表面积是影响散热效率的关键因素.最后利用红外热像仪对组件进行测试,并将实测结果与仿真结果进行验证.仿真结果与实测结果相接近,模型精度较传统仿真模型有较大提升.
|
| 关 键 词： | T/R组件 热力学模型 有限元仿真 温度场 红外测温 |
Multi-Heat Source Coupling Simulation Model for Multi-Channel T/R Module |
| |
| Peng Hao,Gui Mingyang,Chi Lei,Song Ying.Multi-Heat Source Coupling Simulation Model for Multi-Channel T/R Module[J].Semiconductor Technology,2021,46(6):492-496. |
| |
| Authors: | Peng Hao Gui Mingyang Chi Lei Song Ying |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
