| 具有栅源间本征GaN调制层的AlGaN/GaN HEMT |
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| 引用本文： | 陈飞,冯全源. 具有栅源间本征GaN调制层的AlGaN/GaN HEMT[J]. 半导体技术, 2021, 46(9): 694-700. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.09.006 |
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| 作者姓名： | 陈飞 冯全源 |
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| 作者单位： | 西南交通大学微电子研究所,成都 611756 |
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| 摘 要： | 为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN (i-GaN)调制层的新型AlGaN/GaN HEMT结构.新结构器件在反向耐压时将调制层下方部分区域的二维电子气(2DEG)完全耗尽,扩展了沟道的夹断区,有效阻止了源极电子向栅极右侧高场区的注入.仿真结果表明,通过设置适当的调制层长度和厚度,器件的击穿电压可从常规结构的862 V提升至新结构的1086 V,增幅达26％.同时,GaN调制层会微幅增大器件的比导通电阻,对阈值电压也具有一定的提升作用.
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| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高场区 雪崩击穿 击穿电压 二维电子气(2DEG) |
AlGaN/GaN HEMTs with Intrinsic GaN Modulation Layer Between Gate and Source |
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| Chen Fei,Feng Quanyuan. AlGaN/GaN HEMTs with Intrinsic GaN Modulation Layer Between Gate and Source[J]. Semiconductor Technology, 2021, 46(9): 694-700. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.09.006 |
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| Authors: | Chen Fei Feng Quanyuan |
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