| GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展 |
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| 引用本文： | 朱彦旭,李锜轩,谭张杨,李建伟,魏昭,王猜. GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展[J]. 半导体技术, 2021, 46(5): 337-348. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.05.001 |
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| 作者姓名： | 朱彦旭 李锜轩 谭张杨 李建伟 魏昭 王猜 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京 100124 |
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| 摘 要： | 紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UVPD)受到研究人员的重视.GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点.GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需附加滤光系统、易于与其他材料集成等特点,表现出优异的紫外光探测性能.围绕GaN基UVPD,介绍了 GaN材料在制备工艺上的研究进展;详细论述了常见结构GaN基UV PD最新结构的优化对器件性能的影响;介绍了基于表面声波、表面等离激元和场效应晶体管集成的新型GaN基UV PD;最后,对GaN基UV PD的发展趋势进行了展望.
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| 关 键 词： | GaN 紫外光电探测器(UVPD) 器件优化 响应度 比探测率 |
Research Progress of Material Preparation and Device Optimization of GaN-Based Ultraviolet Photodetectors |
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| Zhu Yanxu,Li Qixuan,Tan Zhangyang,Li Jianwei,Wei Zhao,Wang Cai. Research Progress of Material Preparation and Device Optimization of GaN-Based Ultraviolet Photodetectors[J]. Semiconductor Technology, 2021, 46(5): 337-348. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.05.001 |
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| Authors: | Zhu Yanxu Li Qixuan Tan Zhangyang Li Jianwei Wei Zhao Wang Cai |
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