| W波段三路合成GaN功率放大器MMIC |
| |
| 引用本文： | 刘如青,张力江,魏碧华,何健. W波段三路合成GaN功率放大器MMIC[J]. 半导体技术, 2021, 46(7): 521-525,564. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.07.005 |
| |
| 作者姓名： | 刘如青 张力江 魏碧华 何健 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;成都天箭科技股份有限公司,成都 610041 |
| |
| 摘 要： | 基于GaNHEMT工艺,研制了一款W波段功率放大器MMIC.利用Lange耦合器将3个饱和输出功率大于1 W的单元电路进行三路片上功率合成来实现该功率放大器MMIC.该芯片的制作采用了 0.1 μm T型栅GaN HEMT技术,衬底为50 μm厚的SiC.芯片为三级级联拓扑结构,采用高低阻抗传输线、介质电容等进行匹配和偏置电路设计,实现低损耗输出,芯片尺寸为3.37 mm×3.53 mm×0.05 mm.测试结果表明,在漏源工作电压15 V、88～92 GHz频率范围内,该MMIC的线性增益大于15 dB,饱和输出功率大于3W.该MMIC具有功率大、输入输出回波损耗小及应用范围广的优势.
|
| 关 键 词： | W波段 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 功率放大器 耦合器 单片微波集成电路(MMIC) |
W-Band GaN Power Amplifier MMIC Using Three-Way Combination Technology |
| |
| Liu Ruqing,Zhang Lijiang,Wei Bihua,He Jian. W-Band GaN Power Amplifier MMIC Using Three-Way Combination Technology[J]. Semiconductor Technology, 2021, 46(7): 521-525,564. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.07.005 |
| |
| Authors: | Liu Ruqing Zhang Lijiang Wei Bihua He Jian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
