| Si3N4覆铜基板的界面空洞控制技术 |
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| 引用本文： | 张义政,张崤君,张金利,吴亚光,刘旭,鲍禹希,张腾.Si3N4覆铜基板的界面空洞控制技术[J].半导体技术,2021,46(7):572-577. |
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| 作者姓名： | 张义政 张崤君 张金利 吴亚光 刘旭 鲍禹希 张腾 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051 |
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| 摘 要： | 为满足新一代SiC基功率模块的先进封装需求,研究了Si3N4覆铜活性金属焊接(AMB)基板的界面空洞控制技术,使Si3N4陶瓷与铜箔界面处的空洞率低于1％.选用Ag-Cu-Ti活性金属焊片作为Si3N4覆铜基板的焊料层,其中的活性组分Ti可与Si3N4生成界面反应层TiN,该材料是界面空洞控制的关键.在分析界面空洞形成机理的基础上,以空洞率为指标,对原材料前处理、AMB工艺参数(焊接压力和焊接温度)进行全因子试验设计(DOE)及方差分析,得到最佳的参数组合为:化学法与还原法相结合的原材料前处理方式,焊接压力约2N,焊接温度900℃.通过原材料前处理和AMB工艺优化的界面空洞控制技术,研制出界面空洞率小于1％的Si3N4覆铜基板,能够满足SiC.基功率模块封装基板的高可靠应用需求.
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| 关 键 词： | SiC基功率模块 Si3N4覆铜基板 活性金属焊接(AMB)工艺 Ag-Cu-Ti 空洞率 |
Interface Voids Control Technology for Copper-Bonded Si3N4 Substrates |
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| Zhang Yizheng,Zhang Xiaojun,Zhang Jinli,Wu Yaguang,Liu Xu,Bao Yuxi,Zhang Teng.Interface Voids Control Technology for Copper-Bonded Si3N4 Substrates[J].Semiconductor Technology,2021,46(7):572-577. |
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| Authors: | Zhang Yizheng Zhang Xiaojun Zhang Jinli Wu Yaguang Liu Xu Bao Yuxi Zhang Teng |
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