| GaN MMIC六位数字衰减器的设计 |
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| 引用本文： | 齐志华,谢媛媛.GaN MMIC六位数字衰减器的设计[J].半导体技术,2021,46(12):921-925. |
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| 作者姓名： | 齐志华 谢媛媛 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
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| 摘 要： | 基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0～31.5 dB.通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸.测试结果表明,在2～ 18 GHz频带内,该衰减器的插入损耗小于4.8 dB,64态衰减精度均方根误差小于0.6 dB,输入回波损耗小于-13 dB,输出回波损耗小于-12.5 dB,附加相移为-14°～4°.在10 GHz下,其1 dB压缩点输入功率达到34.5 dBm.裸片尺寸为2.30 mm× 1.10 mm.
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| 关 键 词： | GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 数字衰减器 宽带 |
Design of GaN MMIC 6 bit Digital Attenuator |
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| Qi Zhihua,Xie Yuanyuan.Design of GaN MMIC 6 bit Digital Attenuator[J].Semiconductor Technology,2021,46(12):921-925. |
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| Authors: | Qi Zhihua Xie Yuanyuan |
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