| 具有夹层的垂直U型栅极TFET的设计 |
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| 引用本文： | 郭浩,朱慧珑,黄伟兴.具有夹层的垂直U型栅极TFET的设计[J].半导体技术,2021,46(7):532-538. |
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| 作者姓名： | 郭浩 朱慧珑 黄伟兴 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学微电子学院,合肥 230022;中国科学院微电子研究所,北京 100029 |
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| 摘 要： | 通过使用工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真技术提出了一种新型的带有夹层的垂直U型栅极隧穿场效应晶体管(TFET)结构.该器件是通过优化基于Ge的栅极金属核垂直纳米线TFET结构获得的.通过在沟道中增加重掺杂夹层,器件的平均亚阈值摆幅(SSavg)得到了改善;又通过改变器件的源极和漏极材料,器件的开关电流比(Ion/Ioff)得到了改善.对夹层的掺杂浓度和厚度以及沟道的高度也进行了优化.最终优化后的器件开态电流为220 μA/μm,关态电流为3.08×10-10μA/pm,SSavg为8.6 mV/dec,表现出了优越的性能.与初始器件相比,该器件的SSavg减小了 77％,Ion/Ioff增加了两个数量级以上.此外,提出了针对该器件的可行的制备工艺步骤.因此,认为该器件是在超低功耗应用中非常具有潜力的候选器件.
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| 关 键 词： | 隧穿场效应晶体管(TFET) Si0.3Ge0.7 带带隧穿(BTBT) 平均亚阈值摆幅 开关电流比 |
Design of the Vertical U-Shaped Gate TFET with Sandwich Layer |
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| Guo Hao,Zhu Huilong,Huang Weixing.Design of the Vertical U-Shaped Gate TFET with Sandwich Layer[J].Semiconductor Technology,2021,46(7):532-538. |
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| Authors: | Guo Hao Zhu Huilong Huang Weixing |
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