| 高压储能电容器内部与油质缺陷的直流局部放电 |
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| 引用本文： | 张血琴,吴广宁,曲衍宁,王鹏,边姗姗,李晓华.高压储能电容器内部与油质缺陷的直流局部放电[J].电工技术学报,2008,23(2):76-81. |
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| 作者姓名： | 张血琴 吴广宁 曲衍宁 王鹏 边姗姗 李晓华 |
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| 作者单位： | 西南交通大学电气工程学院,成都,610031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，西南交通大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 直流局部放电(DCPD)测试技术是评估高压储能电容器绝缘性能的有效手段,其中利用DCPD参量表征缺陷对电容器绝缘状态的影响程度是关键问题.为了分析缺陷与DCPD参量之间的关系,本文针对两种基本缺陷--内部和油质缺陷,进行了有限元仿真,局部放电参量与介质缺陷物理参数关系的讨论,以及两类含缺陷的电容器的DCPD测试.三种方法得到的结果相互验证,表明内部缺陷对绝缘介质的影响更大,虽然油质缺陷对绝缘介质的影响较小,但仍应避免此类缺陷的形成.
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| 关 键 词： | 高压储能电容器 直流局部放电 有限元仿真 缺陷 参量 |
| 修稿时间： | 2007年3月25日 |
DCPD Investigation on Inner and Oiliness Defects of High-Voltage Storage Capacitors |
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| Zhang Xueqin,Wu Guangning,Qu Yanning,Wang Peng,Bian Shanshan,Li Xiaohua.DCPD Investigation on Inner and Oiliness Defects of High-Voltage Storage Capacitors[J].Transactions of China Electrotechnical Society,2008,23(2):76-81. |
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| Authors: | Zhang Xueqin Wu Guangning Qu Yanning Wang Peng Bian Shanshan Li Xiaohua |
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